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近日，有消息报道称，由于三星在3纳米GAA制程技术方面的晶圆良率未达到预期，全球知名芯片制造商高通决定调整其下一代处理器骁龙8 Gen4的生产策略。原先计划中的由台积电和三星共同代工的方案已经被取消，转而选择台积电作为独家代工厂商。
台积电的法人代表预测，随着包括高通和英伟达在内的主要客户对3纳米工艺的强劲需求，台积电在明年的产能有望实现显著提升，达到每月10万片的规模。这一产能目标将巩固台积电在全球半导体制造行业的领导地位。
据了解，三星在3nm GAA制程技术上遇到了生产困难，尤其是其完整的3nm GAA晶圆的良率问题。目前，三星的3nm GAA晶圆良率仅为50%，这导致了芯片的成本大幅增加，与良率达到70%的芯片相比，成本高出约40%。
与此同时，台积电在3nm工艺技术方面已制定了五种类别，分别是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X。其中，N3B作为台积电已量产的第一个3nm节点，其良率介于70%至80%之间。N3E作为N3B的增强版，不仅在良率上有所提高，同时成本也更加低廉，尽管其性能略逊于N3B。
综上所述，考虑到成本效益和性能的平衡，高通决定放弃三星的代工服务，选择台积电独家代工其下一代旗舰芯片骁龙8 Gen4，这一决策在情理之中。这不仅展现了台积电在先进制程技术上的竞争优势，也反映了行业对高效率、高质量生产需求的日益增长。